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  • IPD068P03L3G

    IPD068P03L3G

    英飞凌

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    7.327 4.359 3.347 2.961 2.865 ******
    1 25 100 500 2.5k more

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    Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

    供应商报价3 数据手册 规格参数

  • IPD068P03L3 G

    IPD068P03L3 G

    英飞凌

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    INFINEON  IPD068P03L3 G  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V

    供应商报价9 数据手册 规格参数

  • IPD068P03L3GATMA1

    IPD068P03L3GATMA1

    英飞凌

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    4.469 3.581 3.505 2.789 2.472 ******
    1 100 500 1k 2.5k more

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    INFINEON  IPD068P03L3GATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V

    供应商报价10 数据手册 规格参数

  • IPD068P03L3GBTMA1

    IPD068P03L3GBTMA1

    英飞凌

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    4.373 4.359 3.374 2.782 2.266 ******
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    INFINEON  IPD068P03L3GBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V 新

    供应商报价9 数据手册 规格参数