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  • IPD068P03L3G

    IPD068P03L3G

    英飞凌

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    7.248 4.313 3.314 2.928 2.832 ******
    1 25 100 500 2.5k more

    库存:1975

    Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

    供应商报价3 数据手册 规格参数

  • IPD068P03L3 G

    IPD068P03L3 G

    英飞凌

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    3.519 3.519 2.706 2.654 2.583 ******
    1 10 100 500 1k more

    库存:30277

    INFINEON  IPD068P03L3 G  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V

    供应商报价9 数据手册 规格参数

  • IPD068P03L3GATMA1

    IPD068P03L3GATMA1

    英飞凌

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    4.419 3.544 3.267 2.583 2.333 ******
    1 100 500 1k 2.5k more

    库存:7355

    INFINEON  IPD068P03L3GATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V

    供应商报价10 数据手册 规格参数

  • IPD068P03L3GBTMA1

    IPD068P03L3GBTMA1

    英飞凌

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    4.326 3.340 3.040 2.750 2.239 ******
    1 100 250 500 1k more

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    INFINEON  IPD068P03L3GBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V 新

    供应商报价8 数据手册 规格参数