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W25Q128JVSIQ 管装
华邦电子(WINBOND)创立于1987年,公司位于台湾新竹科学园区,1995年正式于台湾证券交易所挂牌上市 (华邦电:2344)。多年来,华邦在产品设计、技术研发、晶圆制造、及客户关系的领域努力深耕,在半导体产业树立起厚实的格局与信誉。 今日的华邦以专业的内存集成电路公司为定位,公司主要业务有产品设计、技术研发、晶圆制造、营销及售后服务,致力以先进的半导体设计及生产技术,提供客户特殊规格的内存解决方案。DRAM主要产品包括Specialty DRAM、以及Pseudo SRAM 和Low Power SDRAM之Mobile RAM系列产品可广泛应用在消费性(Consumer)、通讯(Communication)、电脑周边(Computer Peripheral)以及车用电子(Automobile)等四大领域,另有高阶DRAM-GDDR产品,则锁定个人电脑、游戏机和多媒体等应用市场。快闪记忆体产品,聚焦中低密度Parallel和Serial二种NOR Flash,产品广泛应用於个人电脑及周边、光碟机、无线网路、DSL数据机、DVD播放机、机上盒和电视机等...。 华邦以两大事业群:「逻辑产品事业群」及「内存产品事业群」为核心。逻辑产品事业群专注于以微控制器为主的消费性产品及计算机逻辑产品两大领域;内存产品事业群掌握行动内存与闪存关键技术,其主要产品包括低功率动态随机存取内存、利基型动态随机存取内存、类静态随机存取内存、标准型内存以及低密度闪存等,各产品线间紧密的互补性与综效性,提供完备的客需服务供应网络。 目前华邦拥有一座十二吋晶圆厂、二座八吋晶圆厂(注)、及一座六吋晶圆厂,全球员工共计超过五千名;华邦重视与客户及合作伙伴的长期关系,在美国、中国大陆、日本及以色列等地均设有据点,强化地区性客户支持服务与全球运筹管理;累积丰厚智慧与经验的华邦团队,取得各国专利超过二千五百件,追求卓越与创新是我们未来持续努力的目标。 目前公司产品种类达4000多种,为台湾最大的自有品牌集成电路产品供应商。华邦每年投入一成以上的营业额用于产品研发,在美国硅谷成立了数个产品研发和技术开发单位,专职产品开发人员达四百余人。在生产制造方面,公司拥有三座营运中的硅片厂,工艺已进入0。18微米。华邦在美国、香港等地设有子公司,在中国大陆主要城市亦建立联络办事处,并于亚洲、欧洲、美洲等地设有行销据点。闪存产品方面,聚焦中低密度Parallel和Serial二种NORFlash,本公司的NORFlash产品以自有十二吋晶圆厂搭载先进制程技术生产,具低耗电、体积小及成本结构佳之特性,目前已获全球各大个人计算机及周边、光驱、无线网络、DSL调制解调器、DVD播放机、机上盒和电视机等厂商所采用,特别在主机板和光驱市场占有很高之市占率。
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通过数据手册带你全面解析闪存芯片W25Q128

Li 2022-11-28 16:11 23360次阅读

本篇文章将带领大家全面解析闪存芯片W25Q128,主要分为以几个部分

一、什么是W25Q128

二、W25Q128引脚封装

三、W25Q128内存结构框架

四、W25Q128JV相关寄存器

五、W25Q128JV命令

六、常用的指令

七、总结

 

一、什么是W25Q128

W25Q128是华邦公司推出的一款SPI接口的NOR Flash芯片,其存储空间为128Mbit,相当于16M字节。W25Q128V芯片是串行闪存,可以通过标准/两线/四线SPI控制。

W25Q128JV(128M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。它们是将代码隐藏到RAM、直接从双/四SPI(XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据的理想选择。该设备在单个2.7V至3.6V电源上运行,断电时电流消耗低至1µA。所有设备均提供节省空间的包装。

图 1 W25Q128实物图 

图 1 W25Q128实物图

W25Q128JV阵列被组织成65536个可编程页面,每个页面256字节。一次最多可编程256个字节。页面可以按16组(4KB扇区擦除)、128组(32KB块擦除)、256组(64KB块擦除或整个芯片(芯片擦除)擦除。W25Q128JV分别具有4096个可擦除扇区和256个可擦除块。小4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用中具有更大的灵活性。

图 2 W25Q128串行闪存框图 

图 2 W25Q128串行闪存框图

 

二、W25Q128引脚封装

 W25Q128引脚封装

图 3 W25Q128引脚封装

W25Q128JV管脚如下,作为标准SPI控制时,DO管脚为MISO,D1管脚为MOSI,/CS为片选NSS,CLK为时钟信号线。/WP为写保护管脚,/HOLD or /RESET为保持或复位引脚(通过寄存器配置)


W25Q128引脚 

 

三、W25Q128内存结构框架

首先W25Q128引出一个SPI接口实现通讯基础,具备几个控制和状态寄存器,在写保护逻辑和内存编码上的内存分配大致都是分成64KB的块,4KB的扇区,256Byte的页,例如W25Q128,内存为16MByte(128Mbits/8bit),它有256个块,每个块有16个扇区,每个扇区有16页。

 

四、W25Q128JV相关寄存器

1.状态寄存器-1

状态寄存器-1 

(1)Erase/Write In Progress(BUSY)(只读)

BUSY是状态寄存器(S0)中的只读位,当设备执行页面程序、四页程序、扇区擦除、块擦除、芯片擦除、写入状态寄存器或擦除/程序安全寄存器指令时,该位设置为1状态。在此期间,设备将忽略除读取状态寄存器和擦除/编程暂停指令之外的其他指令(请参阅AC特性中的tW、tPP、tSE、tBE和tCE)。当程序、擦除或写入状态/安全寄存器指令完成时,BUSY位将被清除为0状态,表示设备已准备好接受进一步指令。

(2)Write Enable Latch(WEL)(只读)

写使能锁存器(WEL)是状态寄存器(S1)中的一个只读位,在执行写使能指令后设置为1。当设备被禁止写入时,WEL状态位被清除为0。在通电时或执行以下任一指令后,会出现写禁用状态:写禁用、页面编程、四页编程、扇区擦除、块擦除、芯片擦除、写状态寄存器、擦除安全寄存器和编程安全寄存器。

(3)Block Protect Bits(BP2,BP1,BP0)(读写)

块保护位(BP2、BP1、BP0)是状态寄存器(S4、S3和S2)中的非易失性读/写位,提供写保护控制和状态。可以使用写状态寄存器指令设置块保护位(请参阅AC特性中的tW)。所有、所有或部分内存阵列都可以免受编程和擦除指令的保护(请参阅状态寄存器内存保护表)。块保护位的出厂默认设置为0,所有阵列都不受保护。

(4)Top/Bottom Block Protect (TB) (读写)

非易失性顶部/底部位(TB)控制块保护位(BP2、BP1、BP0)是从阵列的顶部(TB=0)还是底部(TB=1)进行保护。出厂默认设置为TB=0。TB位可以根据SRP、SRL和WEL位的状态使用写入状态寄存器指令设置。

(5)Sector/Block Protect Bit (SEC)(读写)

非易失性扇区/数据块保护位(SEC)控制数据块保护比特(BP2、BP1、BP0)是否保护阵列顶部(TB=0)或底部(TB=1)的4KB扇区(SEC=1)或64KB数据块(SEC=0)。默认设置为SEC=0。

(6)Complement Protect (CMP)(读写)

互补保护位(CMP)是状态寄存器中的非易失性读/写位(S14)。它与SEC、TB、BP2、BP1和BP0位一起使用,为阵列保护提供了更大的灵活性。一旦CMP设置为1,SEC、TB、BP2、BP1和BP0设置的先前阵列保护将被反转。例如,当CMP=0时,可以保护顶部64KB的块,而阵列的其余部分不受保护;当CMP=1时,顶部64KB块将变得不受保护,而阵列的其余部分将变为只读。有关详细信息,请参阅状态寄存器内存保护表。默认设置为CMP=0。

2. 状态寄存器-2

状态寄存器-2 

(1)Erase/Program Suspend Status (SUS)(只读)

暂停状态位是状态寄存器(S15)中的只读位,在执行擦除/程序暂停(75h)指令后。SUS状态位通过擦除/编程恢复(7Ah)指令以及断电、通电周期清除为0。

(2)Security Register Lock Bits (LB3, LB2, LB1)(读写)

安全寄存器锁定位(LB3、LB2、LB1)是状态寄存器(S13、S12、S11)中的非易失性一次性编程(OTP)位,其向安全寄存器提供写保护控制和状态。LB3-1的默认状态为0,安全寄存器已解锁。LB3-1可以使用“写入状态寄存器”指令单独设置为1。LB3-1为一次性可编程(OTP),一旦设置为1,对应的256字节安全寄存器将永久变为只读。

(3)Quad Enable (QE) (读写)

出厂时,四位启用(QE)位默认设置为1,因此设备在通电后支持标准/双SPI以及四位SPI。此位不能重置为0。

注:QE位设置为0状态,零件号出厂默认值。

3.状态寄存器-3

状态寄存器-3 

(1)Write Protect Selection (WPS) (读写)

WPS位用于选择应使用的写入保护方案。当WPS=0时,设备将使用CMP、SEC、TB、BP[2:0]位的组合来保护存储器阵列的特定区域。当WPS=1时,设备将使用单个块锁来保护任何单个扇区或块。设备通电或复位后,所有单个块锁定位的默认值为1。

(2)Output Driver Strength(DRV1,DRV0)(读写)

DRV1和DRV0位用于确定读取操作的输出驱动器强度。

(3)Reserved Bits(无功能)

有几个保留的状态寄存器位可以作为“0”或“1”读出。建议忽略这些位的值。在“写入状态寄存器”指令期间,保留位可以写为“0”,但不会有任何影响。

 

五、W25Q128JV命令

1.读制造商/设备ID(0x90)

该指令通常在调试程序的时候用到,判断SPI通信是否正常。该指令通过主器件拉低/CS片选使能器件开始传输,首先通过DI线传输“90H”指令,接着传输000000H的24位地址(A23-A0),之后从器件会通过DO线返回制造商ID(EFH)和设备ID(17H)。

注:SPI为数据交换通信,主器件在发送“90H”指令时也会接收到一个字节FFH,但此数据为无效数据

读制造商/设备ID(0x90) 

2.读数据(03H)

读数据指令可从存储器依次一个或多个数据字节,该指令通过主器件拉低/CS电平使能设备开始传输,然后传输“03H”指令,接着通过DI管脚传输24位地址,从器件接到地址后,寻址存储器中的数据通过DO引脚输出。每传输一个字节地址自动递增,所以只要时钟继续传输,可以不断读取存储器中的数据。

读数据

3.页编程(02H)

页编程指令可以在已擦除的存储单元中写入256个字节。该指令先拉低/CS引脚电平,接着传输“02H”指令和24位地址。后面接着传输至少一个数据字节,最多256字节。

页编程(02H)

4.扇区擦除(20H)

扇区擦除指令,数据写入前必须擦除对应的存储单元,该指令先拉低/CS引脚电平,接着传输“20H”指令和要擦除扇区的地址。

扇区擦除(20H)

5.命令注意事项

在对W25Q128 FLASH的写入数据的操作中一定要先擦出扇区,在进行写入,否则将会发生数据错误。W25Q128 FLASH一次性最大写入只有256个字节。在进行写操作之前,一定要开启写使能(Write Enable)。当只接收数据时不但能只检测RXNE状态 ,必须同时向发送缓冲区发送数据才能驱动SCK时钟跳变。


六、常用的指令

我们使用内存就是想来存放数据的,涉及到读写,所以我们的需求有:读内存和写内存。写内存的时候都需要注意Flash的一个通病,那就是Flash编程只能将1写为0,而不能将0写成1。所以我们需要在写内存的时候将内存擦除,使用内存擦除指令擦除内存,内存变为0xFF,然后再写内存。有时候我们可能要格式化内存,那么就还需要整片擦除指令。最后值得考虑的是,任何一款芯片都会有状态寄存器,我们在操作芯片的时候都需要先了解芯片的状态如何。那么针对使用标准SPI通信,梳理一下我们大致用到的指令有:

1) 阅读 JEDEC ID 0x9f

2) 写入数据使能 Write Enable 0x06

3) 读数据 Read Data 0x03

4) 扇区擦除 Erase_Sector 0x20

5) 写入数据 Write data 0x02

6) 掉电模式 Power-down 0xB9

7) 唤醒模式 Release Powerdown / ID 0xAB

 

七、总结

总的来说,对于初次SPI的初学者来说,W25Q128芯片确实是学习SPI通信的一个深入的了解,结合SPI通讯对串行FLASH的读写,通过SPI发送指令向W25Q128中读写数据,读者可以通过在STM32开发板结合W25Q128芯片进行相关读写实验。

 


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