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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N5551  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 150 MHz, 625 mW, 600 mA, 80 hFE
Fairchild Semiconductor(仙童半导体公司 )的历史可以追溯至1957年,当时仙童公司的创立者,组织了一些科学家在美国加州研究晶体管制造新工艺,其中有RobertNevce和GordonMoore,就是现在Intel公司的创立者。1959年研究成功平面工艺制造技术,从此,平面技术成为晶体管制造的基本方法。 作为半导体行业先驱拥有丰富的历史,Fairchild的开创性的精神一直延续到现在。 一个分散焦点、阻碍创新的多样化时代,仙童半导体专注于开发和制造完整的高、低功率产品组合,适用于移动、工业、云计算、汽车、照明和计算行业。 仙童半导体 是行业中最可靠的合作伙伴,提供最短时间的从概念到实物的实现能力,有专家级 FAE 提供客户支持,以及灵活的、多来源供应链。 我们的愿景很明确的——预知未来电子产品的能效需求,提供非凡的设计体验。
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由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放大效应。
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2N5551参数、引脚图和代换型号

WX 2020-11-03 16:49 12056次阅读 双极性晶体管

2N5551晶体管是一款双极性晶体管,主要特征

2N5551是一个通孔,NPN通用放大器在TO-92封装。该装置适用于一般高压放大器和气体放电显示驱动器

2N5551引脚图

2N5551核心参数为:

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

集电极—发射极最大电压 VCEO: 160 V  

集电极—基极电压 VCBO: 180 V      

集电极—射极饱和电压: 0.25 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V 

最大直流电集电极电流: 0.6 A   

集电极连续电流: 0.6 A

晶体管极性: NPN     

直流集电极/Base Gain hfe Min:  80  

Pd-功率耗散: 625 mW

增益带宽产品fT: 300 MHz

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C

封装 / 箱体: TO-92-3

配置: Single  

高度: 5.33 mm     

长度: 5.2 mm

宽度: 4.19 mm            

2N5551封装图

2N5551代替型号:

(飞兆/仙童)2N5551TA(飞兆/仙童)2N5551TAR(飞兆/仙童)2N5551G

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