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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT4403 单晶体管双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE

Fairchild Semiconductor（仙童半导体公司）的历史可以追溯至1957年，当时仙童公司的创立者，组织了一些科学家在美国加州研究晶体管制造新工艺，其中有RobertNevce和GordonMoore，就是现在Intel公司的创立者。1959年研究成功平面工艺制造技术，从此，平面技术成为晶体管制造的基本方法。作为半导体行业先驱拥有丰富的历史，Fairchild的开创性的精神一直延续到现在。一个分散焦点、阻碍创新的多样化时代，仙童半导体专注于开发和制造完整的高、低功率产品组合，适用于移动、工业、云计算、汽车、照明和计算行业。仙童半导体是行业中最可靠的合作伙伴，提供最短时间的从概念到实物的实现能力，有专家级 FAE 提供客户支持，以及灵活的、多来源供应链。我们的愿景很明确的——预知未来电子产品的能效需求，提供非凡的设计体验。

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双极性晶体管

由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。

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MMBT4403参数、引脚图和代换型号

WX • 2020-11-12 17:11 •899次阅读

MMBT4403晶体管是一款双极性晶体管, MMBT4403基本描述:

MMBT4403是为专门为通用集电极电流至500ma的放大器和开关等而设计的。

MMBT4403引脚图

MMBT4403产品核心参数:

直流电流增益 hFE 最大值：300

集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V

集电极—基极电压 VCBO：40 V

发射极—基极电压 VEBO：5 V

集电极—射极饱和电压：0.75 V

最大直流电集电极电流：0.6 A

增益带宽产品fT：200 MHz

集电极连续电流：0.6 A

Pd-功率耗散：350 m W

最大工作温度：+ 150°C

最小工作温度：- 55°C

封装：SOT-23-3

晶体管极性：PNP

配置：Single

高度：0.93 mm

长度：2.92 mm

宽度：1.3 mm

单位重量：8 mg

MMBT4403封装图

MMBT4403代替型号：

（安森美）KST4403MTF、（安森美）BSR16、（安森美）MMBT4403LT1G

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